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codice articolo del costruttore | ESR25JZPF2002 |
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Numero di parte futuro | FT-ESR25JZPF2002 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ESR |
ESR25JZPF2002 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 20 kOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.667W, 2/3W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.026" (0.65mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESR25JZPF2002 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESR25JZPF2002-FT |
ESR18EZPJ362
Rohm Semiconductor
ESR18EZPJ363
Rohm Semiconductor
ESR18EZPJ364
Rohm Semiconductor
ESR18EZPJ365
Rohm Semiconductor
ESR18EZPJ391
Rohm Semiconductor
ESR18EZPJ392
Rohm Semiconductor
ESR18EZPJ393
Rohm Semiconductor
ESR18EZPJ395
Rohm Semiconductor
ESR18EZPJ3R0
Rohm Semiconductor
ESR18EZPJ430
Rohm Semiconductor
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP4S40G2F40I3N
Intel
LFE2-12E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel