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ESH3B V6G Image

Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B V6G

Numero parte MFG
ESH3B V6G
quantità disponibile
73280 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.10368
Il nostro prezzo
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Data di spedizione
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
ESH3B V6G.pdf
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ESH3B V6G specificazioni

codice articolo del costruttore ESH3B V6G
Numero di parte futuro FT-ESH3B V6G
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ESH3B V6G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente: media rettificata (Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC)
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ESH3B V6G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ESH3B V6G-FT

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