casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH2D-E3/52T
codice articolo del costruttore | ESH2D-E3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-ESH2D-E3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH2D-E3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2D-E3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH2D-E3/52T-FT |
US1GHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1JHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1MHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1MHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel