casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH1BHE3_A/I
codice articolo del costruttore | ESH1BHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-ESH1BHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ESH1BHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1BHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH1BHE3_A/I-FT |
JANTX1N5550
Semtech Corporation
JANTX1N5552
Semtech Corporation
JANTX1N5552US
Semtech Corporation
JANTX1N5552US.TR
Semtech Corporation
JANTX1N5553
Semtech Corporation
JANTX1N5554US
Semtech Corporation
LL5817 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LL5818 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
NHP140SFT3G
ON Semiconductor
PD3S130HQ-7
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel