casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH1BHE3_A/H
codice articolo del costruttore | ESH1BHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-ESH1BHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ESH1BHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1BHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH1BHE3_A/H-FT |
JANTX1N5419
Semtech Corporation
JANTX1N5550
Semtech Corporation
JANTX1N5552
Semtech Corporation
JANTX1N5552US
Semtech Corporation
JANTX1N5552US.TR
Semtech Corporation
JANTX1N5553
Semtech Corporation
JANTX1N5554US
Semtech Corporation
LL5817 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LL5818 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
NHP140SFT3G
ON Semiconductor
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel