casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / ESDS304DBVR
codice articolo del costruttore | ESDS304DBVR |
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Numero di parte futuro | FT-ESDS304DBVR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESDS304DBVR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 4 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 4.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 3V (Typ) |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 12A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 85W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 2.3pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESDS304DBVR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESDS304DBVR-FT |
DF5A3.3FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6CFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5G7M2N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-12E-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EFC484-1X
Intel
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84
Microsemi Corporation
A42MX24-TQG176
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3LG
Intel
EP3C55F780C7
Intel
EP4CE75F29I7
Intel