casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / ESD8006MUTAG
codice articolo del costruttore | ESD8006MUTAG |
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Numero di parte futuro | FT-ESD8006MUTAG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESD8006MUTAG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 6 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.3V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 5.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 8.4V (Typ) |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 16A |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | USB |
Capacità @ frequenza | 0.32pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 10-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-UDFN (3.3x1.0) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESD8006MUTAG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESD8006MUTAG-FT |
UPT15R/TR7
Microsemi Corporation
UPT15RE3/TR13
Microsemi Corporation
UPT15RE3/TR7
Microsemi Corporation
UPT17/TR13
Microsemi Corporation
UPT17/TR7
Microsemi Corporation
UPT17E3/TR13
Microsemi Corporation
UPT17E3/TR7
Microsemi Corporation
UPT17R/TR13
Microsemi Corporation
UPT17R/TR7
Microsemi Corporation
UPT17RE3/TR13
Microsemi Corporation
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN250-ZVQG100
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C8N
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
10AX022E3F29E2SG
Intel
EP4CE10E22C8LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7A200T-2FF1156I
Xilinx Inc.