casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / ESD321DPYR
codice articolo del costruttore | ESD321DPYR |
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Numero di parte futuro | FT-ESD321DPYR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESD321DPYR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 4.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 6.8V (Typ) |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 6A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 40W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 0.9pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-XDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X1SON (1x.60) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESD321DPYR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESD321DPYR-FT |
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel