casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3BHM6G
codice articolo del costruttore | ES3BHM6G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3BHM6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES3BHM6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3BHM6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3BHM6G-FT |
ES3JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3DB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3K V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3KB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel