casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3A M6G
codice articolo del costruttore | ES3A M6G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3A M6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES3A M6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3A M6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3A M6G-FT |
SK510B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK520C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK520C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel