casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3AHR7G
codice articolo del costruttore | ES3AHR7G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3AHR7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES3AHR7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3AHR7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3AHR7G-FT |
ES3J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3DB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3K V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel