casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3AHM6G
codice articolo del costruttore | ES3AHM6G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3AHM6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES3AHM6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3AHM6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3AHM6G-FT |
ES3FB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3DB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel