casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2DV M4G
codice articolo del costruttore | ES2DV M4G |
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Numero di parte futuro | FT-ES2DV M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2DV M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DV M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2DV M4G-FT |
S15JCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S15KCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S15MCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3BHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3GHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3JHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3KHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3KHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484A
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SEEBF45I3LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7S15-2CSGA225I
Xilinx Inc.
XA7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation