casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES 1ZV0
codice articolo del costruttore | ES 1ZV0 |
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Numero di parte futuro | FT-ES 1ZV0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES 1ZV0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 700mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 800mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES 1ZV0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES 1ZV0-FT |
EG 1V1
Sanken
EG01
Sanken
EG01A
Sanken
EG01AV
Sanken
EG01AV0
Sanken
EG01AW
Sanken
EG01C
Sanken
EG01CV
Sanken
EG01CV0
Sanken
EG01CW
Sanken
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel