casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1JLW RVG
codice articolo del costruttore | ES1JLW RVG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1JLW RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1JLW RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123W |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD123W |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JLW RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1JLW RVG-FT |
MBRS10100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS1008G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS1008GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS801G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS801GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS802G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS802GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS803G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAS803GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel