casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1JL RQG
codice articolo del costruttore | ES1JL RQG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1JL RQG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1JL RQG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JL RQG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1JL RQG-FT |
TSOD1F1HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F2HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F4HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F6HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F8HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0540W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT42W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0530W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0520LW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT43W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel