casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1JL RFG
codice articolo del costruttore | ES1JL RFG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1JL RFG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1JL RFG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JL RFG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1JL RFG-FT |
ES1AL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel