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Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL M2G
- Numero parte MFG
- ES1JL M2G
- quantità disponibile
- 42330 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.06336
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Breve descrizione
- - DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Diodi - Raddrizzatori - Singoli
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- ES1JL M2G.pdf
ES1JL M2G specificazioni
| codice articolo del costruttore | ES1JL M2G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-ES1JL M2G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| ES1JL M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-219AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ES1JL M2G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | ES1JL M2G-FT |
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