codice articolo del costruttore | ES1F |
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Numero di parte futuro | FT-ES1F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA (DO-214AC) |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1F-FT |
GC15MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GC02MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC05MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC08MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC10MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC15MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC20MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
FFH75H60S
ON Semiconductor
FFSH2065A
ON Semiconductor
RHRG3060
ON Semiconductor
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel