casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1F R3G
codice articolo del costruttore | ES1F R3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1F R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1F R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1F R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1F R3G-FT |
SS22L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel