codice articolo del costruttore | ES1D |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ES1D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA (DO-214AC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1D-FT |
GC50MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GB50MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
GC15MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GC02MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC05MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC08MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC10MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC15MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC20MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
FFH75H60S
ON Semiconductor
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel