casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1DL RVG
codice articolo del costruttore | ES1DL RVG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1DL RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1DL RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1DL RVG-FT |
S1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H15LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1GLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1GLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H20LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel