casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1DL RVG
codice articolo del costruttore | ES1DL RVG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1DL RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1DL RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1DL RVG-FT |
S1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H15LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1GLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1GLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H20LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel