casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1DL RQG
codice articolo del costruttore | ES1DL RQG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1DL RQG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1DL RQG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL RQG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1DL RQG-FT |
1N914BWS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT43WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV19W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV19WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV20WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV21WS R9G
Taiwan Semiconductor Corporation
RB500V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F1HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F2HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F4HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel