casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1DL MTG
codice articolo del costruttore | ES1DL MTG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ES1DL MTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1DL MTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL MTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1DL MTG-FT |
SS115L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel