casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1BLHR3G
codice articolo del costruttore | ES1BLHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1BLHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1BLHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BLHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1BLHR3G-FT |
SS110LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H10LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel