casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1AL M2G

| codice articolo del costruttore | ES1AL M2G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-ES1AL M2G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| ES1AL M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-219AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ES1AL M2G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | ES1AL M2G-FT |

RSFAL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFAL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation

LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation

EP1S10F484C6N
Intel

EP20K30EFC144-3
Intel

5CGXFC4F6M11C6N
Intel

XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.

XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.

XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.

LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SL110F780C4
Intel