casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11F112
codice articolo del costruttore | ERZ-E11F112 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11F112 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11F112 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 680V |
Volt massimo DC | 895V |
Tensione varistore (min) | 990V |
Varistore Voltage (Typ) | 1.1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.21kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 310J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 200pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 14mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11F112 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11F112-FT |
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
820523006
Wurth Electronics Inc.
820544211
Wurth Electronics Inc.
820544611
Wurth Electronics Inc.
XC4VFX140-10FFG1517I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL125V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200FC484-2XN
Intel
5SGSMD8N2F45I3LN
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
EPF10K130EBI356-2
Intel