casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11F112
codice articolo del costruttore | ERZ-E11F112 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11F112 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11F112 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 680V |
Volt massimo DC | 895V |
Tensione varistore (min) | 990V |
Varistore Voltage (Typ) | 1.1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.21kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 310J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 200pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 14mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11F112 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11F112-FT |
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
820523006
Wurth Electronics Inc.
820544211
Wurth Electronics Inc.
820544611
Wurth Electronics Inc.
XC2VP40-7FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036EX-4HQ304I
Xilinx Inc.
XCS20-3VQG100C
Xilinx Inc.
XC4013XL-2PQ208I
Xilinx Inc.
EP4SGX360FH29C3
Intel
XC7K325T-L2FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQG100
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3LG
Intel