casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11F112
codice articolo del costruttore | ERZ-E11F112 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11F112 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11F112 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 680V |
Volt massimo DC | 895V |
Tensione varistore (min) | 990V |
Varistore Voltage (Typ) | 1.1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.21kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 310J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 200pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 14mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11F112 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11F112-FT |
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
820523006
Wurth Electronics Inc.
820544211
Wurth Electronics Inc.
820544611
Wurth Electronics Inc.
A1020B-VQ80C
Microsemi Corporation
EP1C3T144C8
Intel
LFEC1E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-3PQ100C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484E
Microsemi Corporation
EP2C50F672C6
Intel
EP20K200FC484-2
Intel
5SGXMA9K3H40C2LN
Intel
10AX115H1F34I1SG
Intel