casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11F112
codice articolo del costruttore | ERZ-E11F112 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11F112 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11F112 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 680V |
Volt massimo DC | 895V |
Tensione varistore (min) | 990V |
Varistore Voltage (Typ) | 1.1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.21kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 310J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 200pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 14mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11F112 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11F112-FT |
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
820523006
Wurth Electronics Inc.
820544211
Wurth Electronics Inc.
820544611
Wurth Electronics Inc.
XC4020XL-1HT144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1TQG144M
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C7N
Intel
10M25DCF256I7G
Intel
5SGSED6K3F40I3LN
Intel
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3SL110F780C4LN
Intel
5SGXEA3H2F35I2N
Intel
EP2S90F1020C3N
Intel