casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11F102
codice articolo del costruttore | ERZ-E11F102 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11F102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11F102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 625V |
Volt massimo DC | 825V |
Tensione varistore (min) | 900V |
Varistore Voltage (Typ) | 1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.1kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 280J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 220pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 14mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11F102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11F102-FT |
820543001
Wurth Electronics Inc.
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
820523006
Wurth Electronics Inc.
820544211
Wurth Electronics Inc.
A54SX32-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S400-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC4010XL-2PQ208I
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
XC6VLX365T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45E2LG
Intel
EP4SGX70DF29C3
Intel
5SGSMD3H3F35C3N
Intel