casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11E911
codice articolo del costruttore | ERZ-E11E911 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11E911 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11E911 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 550V |
Volt massimo DC | 745V |
Tensione varistore (min) | 819V |
Varistore Voltage (Typ) | 910V |
Varistore Voltage (Max) | 1.001kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 255J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 240pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 14mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E911 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11E911-FT |
820541406
Wurth Electronics Inc.
820543001
Wurth Electronics Inc.
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
820523006
Wurth Electronics Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-6Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100M
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2X
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
AGL060V5-CSG121
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel