casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11E681
codice articolo del costruttore | ERZ-E11E681 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11E681 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11E681 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 420V |
Volt massimo DC | 560V |
Tensione varistore (min) | 612V |
Varistore Voltage (Typ) | 680V |
Varistore Voltage (Max) | 748V |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 190J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 290pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 14mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E681 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11E681-FT |
820442711E
Wurth Electronics Inc.
820513011
Wurth Electronics Inc.
820541311
Wurth Electronics Inc.
820541406
Wurth Electronics Inc.
820543001
Wurth Electronics Inc.
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
XC3S400A-5FGG400C
Xilinx Inc.
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCVG484I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXMA5K2F35C2LN
Intel
A54SX32A-1TQG100
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG100A
Microsemi Corporation
EP2C70F896C7
Intel