casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11E331
codice articolo del costruttore | ERZ-E11E331 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11E331 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11E331 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 210V |
Volt massimo DC | 270V |
Tensione varistore (min) | 297V |
Varistore Voltage (Typ) | 330V |
Varistore Voltage (Max) | 363V |
Corrente - Surge | 6kA |
Energia | 115J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 520pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 13mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E331 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11E331-FT |
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
820573011
Wurth Electronics Inc.
B72542V0250K062
EPCOS (TDK)
MLV1812E32003T
Vishay BC Components
MLV1812E33003T
Vishay BC Components
820442711E
Wurth Electronics Inc.
820513011
Wurth Electronics Inc.
A3PN030-ZQNG68I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FGG900I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
APA750-FGG896I
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FGG484
Microsemi Corporation
EP2S60F672C3
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQC240-3
Intel