casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11E112
codice articolo del costruttore | ERZ-E11E112 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11E112 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11E112 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 680V |
Volt massimo DC | 895V |
Tensione varistore (min) | 990V |
Varistore Voltage (Typ) | 1.1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.21kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 310J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 200pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 13mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E112 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11E112-FT |
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
820573011
Wurth Electronics Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
AX500-1FG484M
Microsemi Corporation
EP2S30F672I4N
Intel
EP20K200FC484-3
Intel
XC5VLX85-1FFG676CES
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG676I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45E2LG
Intel
EP4SGX70HF35C2G
Intel