casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11E112
codice articolo del costruttore | ERZ-E11E112 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11E112 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11E112 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 680V |
Volt massimo DC | 895V |
Tensione varistore (min) | 990V |
Varistore Voltage (Typ) | 1.1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.21kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 310J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 200pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 13mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E112 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11E112-FT |
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
820573011
Wurth Electronics Inc.
XC4003E-4VQ100I
Xilinx Inc.
XCKU040-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
5SGXMA4K1F40I2N
Intel
5SGXEA5K3F35C4N
Intel
XC6VHX255T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
LFEC10E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672ITW
Lattice Semiconductor Corporation