casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11E112
codice articolo del costruttore | ERZ-E11E112 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11E112 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11E112 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 680V |
Volt massimo DC | 895V |
Tensione varistore (min) | 990V |
Varistore Voltage (Typ) | 1.1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.21kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 310J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 200pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 13mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E112 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11E112-FT |
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
820573011
Wurth Electronics Inc.
XC3S400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC2VP2-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG325C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQG208I
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-PQG160
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP20K200EBC356-2
Intel