casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11E102
codice articolo del costruttore | ERZ-E11E102 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11E102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11E102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 625V |
Volt massimo DC | 825V |
Tensione varistore (min) | 900V |
Varistore Voltage (Typ) | 1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.1kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 280J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 220pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 13mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11E102-FT |
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
XC4013XL-3HT144I
Xilinx Inc.
A1415A-PQ100M
Microsemi Corporation
XC4005XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC4003E-1VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C3N
Intel
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
M1A3P250-1FGG144I
Microsemi Corporation
10AX027E1F29I1SG
Intel