casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11E102
codice articolo del costruttore | ERZ-E11E102 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11E102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11E102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 625V |
Volt massimo DC | 825V |
Tensione varistore (min) | 900V |
Varistore Voltage (Typ) | 1kV |
Varistore Voltage (Max) | 1.1kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 280J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 220pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 13mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11E102-FT |
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
XC6SLX100T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FBG676I
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
5SGSED8K2F40C2LN
Intel
5SGSED8N3F45I3L
Intel
EP4S100G5H40I2
Intel
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation