casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11B911CS
codice articolo del costruttore | ERZ-E11B911CS |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11B911CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11B911CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 550V |
Volt massimo DC | 745V |
Tensione varistore (min) | 819V |
Varistore Voltage (Typ) | 910V |
Varistore Voltage (Max) | 1.001kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 255J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 240pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 14mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11B911CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11B911CS-FT |
B72220X3321K102
EPCOS (TDK)
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
A40MX04-FVQ80
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600L-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD8N3F45I3LN
Intel
XC2VP30-5FFG1152C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2BG332C
Lattice Semiconductor Corporation