casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11B511CS
codice articolo del costruttore | ERZ-E11B511CS |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11B511CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11B511CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 320V |
Volt massimo DC | 410V |
Tensione varistore (min) | 459V |
Varistore Voltage (Typ) | 510V |
Varistore Voltage (Max) | 561V |
Corrente - Surge | 6kA |
Energia | 190J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 310pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 13mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11B511CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11B511CS-FT |
820554001
Wurth Electronics Inc.
820571111
Wurth Electronics Inc.
820571311
Wurth Electronics Inc.
820571406
Wurth Electronics Inc.
820574001
Wurth Electronics Inc.
820576001
Wurth Electronics Inc.
B72220X3321K102
EPCOS (TDK)
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
EPF10K50ETC144-3N
Intel
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-2SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F484C8
Intel
5SGXMA4H2F35I3LN
Intel
LFE3-150EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX35DF780I6
Intel