casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11B511CS
codice articolo del costruttore | ERZ-E11B511CS |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11B511CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11B511CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 320V |
Volt massimo DC | 410V |
Tensione varistore (min) | 459V |
Varistore Voltage (Typ) | 510V |
Varistore Voltage (Max) | 561V |
Corrente - Surge | 6kA |
Energia | 190J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 310pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 13mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11B511CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11B511CS-FT |
820554001
Wurth Electronics Inc.
820571111
Wurth Electronics Inc.
820571311
Wurth Electronics Inc.
820571406
Wurth Electronics Inc.
820574001
Wurth Electronics Inc.
820576001
Wurth Electronics Inc.
B72220X3321K102
EPCOS (TDK)
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
XA3S200-4TQG144I
Xilinx Inc.
A40MX04-PLG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C4
Intel
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGSMD5H3F35C3N
Intel
M2GL090TS-FGG676
Microsemi Corporation
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation