casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Varistori, MOV / ERZ-E11A821
codice articolo del costruttore | ERZ-E11A821 |
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Numero di parte futuro | FT-ERZ-E11A821 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ZNR® |
ERZ-E11A821 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Volt massimo AC | 510V |
Volt massimo DC | 670V |
Tensione varistore (min) | 738V |
Varistore Voltage (Typ) | 820V |
Varistore Voltage (Max) | 902V |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 235J |
Numero di circuiti | 1 |
Capacità @ frequenza | 260pF @ 1kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Disc 14mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11A821 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERZ-E11A821-FT |
ERZ-E10F471
Panasonic Electronic Components
ERZ-E10F511
Panasonic Electronic Components
ERZ-E10F561
Panasonic Electronic Components
ERZ-E10F621
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ERZ-E10F681
Panasonic Electronic Components
ERZ-E10F751
Panasonic Electronic Components
ERZ-E10F821
Panasonic Electronic Components
ERZ-E10F911
Panasonic Electronic Components
ERZ-C32EK471Y
Panasonic Electronic Components
ERZ-C32EK821Y
Panasonic Electronic Components
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFGG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP3SL200H780I4LN
Intel
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31C4G
Intel
EP1S30F780C5N
Intel
5CGTFD9E5F35C7N
Intel