casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / ERO-S2PHF5110
codice articolo del costruttore | ERO-S2PHF5110 |
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Numero di parte futuro | FT-ERO-S2PHF5110 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERO |
ERO-S2PHF5110 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 511 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.067" Dia x 0.126" L (1.70mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERO-S2PHF5110 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERO-S2PHF5110-FT |
PF1262-390RF1
Riedon
PF1262-39KF1
Riedon
PF1262-39RF1
Riedon
PF1262-3K3F1
Riedon
PF1262-3K6F1
Riedon
PF1262-3K9F1
Riedon
PF1262-3KF1
Riedon
PF1262-3R3F1
Riedon
PF1262-3R6F1
Riedon
PF1262-3R9F1
Riedon
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-3N
Intel
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
10M40DAF484I6G
Intel
10M25DAF256C8G
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
5SGXEA4H1F35C2L
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel