casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / ERJ-P08D10R2V
codice articolo del costruttore | ERJ-P08D10R2V |
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Numero di parte futuro | FT-ERJ-P08D10R2V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERJ |
ERJ-P08D10R2V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.2 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.667W, 2/3W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 1206 (3216 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.028" (0.70mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERJ-P08D10R2V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERJ-P08D10R2V-FT |
ERJ-L08UF69MV
Panasonic Electronic Components
ERJ-L08UF70MV
Panasonic Electronic Components
ERJ-L08UF71MV
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Panasonic Electronic Components
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XC4010XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7S25-2FTGB196I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX530HH35C4N
Intel