casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / ERJ-B3BJR30V
codice articolo del costruttore | ERJ-B3BJR30V |
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Numero di parte futuro | FT-ERJ-B3BJR30V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERJ |
ERJ-B3BJR30V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 300 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Automotive AEC-Q200, Current Sense |
Coefficiente di temperatura | 0/ +200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Wide 0805 (2012 Metric), 0508 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0508 |
Dimensione / Dimensione | 0.049" L x 0.079" W (1.25mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.024" (0.60mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERJ-B3BJR30V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERJ-B3BJR30V-FT |
ERJ-6GEYJ354V
Panasonic Electronic Components
ERJ-6GEYJ431V
Panasonic Electronic Components
ERJ-6LWFR006V
Panasonic Electronic Components
ERJ-6LWFR007V
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ERJ-6LWFR009V
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ERJ-6LWJR005V
Panasonic Electronic Components
ERJ-6LWJR006V
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ERJ-6LWJR007V
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ERJ-6LWJR008V
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ERJ-6RQF2R7V
Panasonic Electronic Components
EX64-TQG64A
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-PTQ100
Microsemi Corporation
AFS1500-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ208I
Microsemi Corporation
10M04DCF256C7G
Intel
5SGSMD6K2F40I3LN
Intel
EP2AGX65DF25C5N
Intel
5SGXEA7H2F35I3N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.