casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / ERJ-B2AJ100V
codice articolo del costruttore | ERJ-B2AJ100V |
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Numero di parte futuro | FT-ERJ-B2AJ100V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERJ |
ERJ-B2AJ100V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Automotive AEC-Q200, Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Wide 1206 (3216 Metric), 0612 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0612 |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERJ-B2AJ100V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERJ-B2AJ100V-FT |
KTR25JZPJ622
Rohm Semiconductor
KTR25JZPJ623
Rohm Semiconductor
KTR25JZPJ624
Rohm Semiconductor
KTR25JZPJ625
Rohm Semiconductor
KTR25JZPJ680
Rohm Semiconductor
KTR25JZPJ681
Rohm Semiconductor
KTR25JZPJ682
Rohm Semiconductor
KTR25JZPJ683
Rohm Semiconductor
KTR25JZPJ685
Rohm Semiconductor
KTR25JZPJ6R2
Rohm Semiconductor
LCMXO2-4000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
M2GL060T-1FGG676
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31I7N
Intel