casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / ERJ-3RBD6491V
codice articolo del costruttore | ERJ-3RBD6491V |
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Numero di parte futuro | FT-ERJ-3RBD6491V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERJ |
ERJ-3RBD6491V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 6.49 kOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.1W, 1/10W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Automotive AEC-Q200 |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.022" (0.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERJ-3RBD6491V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERJ-3RBD6491V-FT |
ERJ-3RBD2741V
Panasonic Electronic Components
ERJ-3RBD2801V
Panasonic Electronic Components
ERJ-3RBD2802V
Panasonic Electronic Components
ERJ-3RBD2870V
Panasonic Electronic Components
ERJ-3RBD2871V
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ERJ-3RBD2940V
Panasonic Electronic Components
ERJ-3RBD2941V
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ERJ-3RBD2942V
Panasonic Electronic Components
ERJ-3RBD3000V
Panasonic Electronic Components
ERJ-3RBD3001V
Panasonic Electronic Components
LCMXO1200E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG256
Microsemi Corporation
A3P250L-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
EP4CGX75CF23I7N
Intel
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10M04SCM153I7G
Intel