casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / ERG-2SJ511V
codice articolo del costruttore | ERG-2SJ511V |
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Numero di parte futuro | FT-ERG-2SJ511V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERG |
ERG-2SJ511V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 510 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.157" Dia x 0.472" L (4.00mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERG-2SJ511V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERG-2SJ511V-FT |
ERG-2SJ111
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ERG-2SJ561
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Panasonic Electronic Components
ERG-2SJ120V
Panasonic Electronic Components
ERG-2SJ221V
Panasonic Electronic Components
ERG-2SJ333V
Panasonic Electronic Components
XC3S400-5FG320C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F31C5N
Intel
EP20K60EQC208-2N
Intel