casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / ERA-8AEB2613V
codice articolo del costruttore | ERA-8AEB2613V |
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Numero di parte futuro | FT-ERA-8AEB2613V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERA-8A |
ERA-8AEB2613V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 261 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | Automotive AEC-Q200 |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 1206 (3216 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.028" (0.70mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERA-8AEB2613V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERA-8AEB2613V-FT |
ERA-8AEB1212V
Panasonic Electronic Components
ERA-8AEB1213V
Panasonic Electronic Components
ERA-8AEB121V
Panasonic Electronic Components
ERA-8AEB123V
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ERA-8AEB1241V
Panasonic Electronic Components
ERA-8AEB1242V
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ERA-8AEB1270V
Panasonic Electronic Components
ERA-8AEB1271V
Panasonic Electronic Components
ERA-8AEB1272V
Panasonic Electronic Components
ERA-8AEB1273V
Panasonic Electronic Components
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel