casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / ERA-6YEB911V
codice articolo del costruttore | ERA-6YEB911V |
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Numero di parte futuro | FT-ERA-6YEB911V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERA-6Y |
ERA-6YEB911V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 910 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.024" (0.60mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERA-6YEB911V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERA-6YEB911V-FT |
ERA-6ARB272V
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ERA-6ARB303V
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ERA-6ARB332V
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Panasonic Electronic Components
ERA-6ARB473V
Panasonic Electronic Components
XC7A75T-3FGG676E
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP1K50FC256-3AA
Intel
EP4S40G2F40I3N
Intel
EP4CGX22BF14I7
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC5VLX85-2FFG676C
Xilinx Inc.
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel