casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / ERA-3YEB331V
codice articolo del costruttore | ERA-3YEB331V |
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Numero di parte futuro | FT-ERA-3YEB331V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERA-3Y |
ERA-3YEB331V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 330 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.1W, 1/10W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.022" (0.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERA-3YEB331V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERA-3YEB331V-FT |
ERA-3ARB4992V
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ERA-3ARB5111V
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ERA-3ARB5112V
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ERA-3ARB562V
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC2V3000-6FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-1FG484
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE360H29C2
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
LFXP6E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation