casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / ERA-3YEB112V
codice articolo del costruttore | ERA-3YEB112V |
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Numero di parte futuro | FT-ERA-3YEB112V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERA-3Y |
ERA-3YEB112V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 1.1 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.1W, 1/10W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.022" (0.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERA-3YEB112V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERA-3YEB112V-FT |
ERA-3ARB3572V
Panasonic Electronic Components
ERA-3ARB3741V
Panasonic Electronic Components
ERA-3ARB3742V
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ERA-3ARB4122V
Panasonic Electronic Components
ERA-3ARB4222V
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LCMXO2-4000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
M2GL060T-1FGG676
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31I7N
Intel