casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / ERA-3AEB2102V
codice articolo del costruttore | ERA-3AEB2102V |
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Numero di parte futuro | FT-ERA-3AEB2102V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ERA-3A |
ERA-3AEB2102V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 21 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.1W, 1/10W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | Automotive AEC-Q200 |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.022" (0.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERA-3AEB2102V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ERA-3AEB2102V-FT |
ERA-3AEB57R6V
Panasonic Electronic Components
ERA-3AEB5900V
Panasonic Electronic Components
ERA-3AEB6190V
Panasonic Electronic Components
ERA-3AEB61R9V
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ERA-3AEB6340V
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ERA-3AEB73R2V
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ERA-3AEB7680V
Panasonic Electronic Components
EX64-TQG64A
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-PTQ100
Microsemi Corporation
AFS1500-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ208I
Microsemi Corporation
10M04DCF256C7G
Intel
5SGSMD6K2F40I3LN
Intel
EP2AGX65DF25C5N
Intel
5SGXEA7H2F35I3N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.