casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / ER58R68JT
codice articolo del costruttore | ER58R68JT |
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Numero di parte futuro | FT-ER58R68JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ER, CGS |
ER58R68JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 680 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 7W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.315" Dia x 0.874" L (8.00mm x 22.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER58R68JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ER58R68JT-FT |
ER742K2JT
TE Connectivity Passive Product
ER742K7JT
TE Connectivity Passive Product
ER742R0JT
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ER742R2FT
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ER742R2JT
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ER742R7JT
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ER74330RJT
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ER7433RJT
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ER74390RJT
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ER7439RJT
TE Connectivity Passive Product
LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation