casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / ER5810RJT
codice articolo del costruttore | ER5810RJT |
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Numero di parte futuro | FT-ER5810RJT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ER, CGS |
ER5810RJT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 7W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | 0/ +60ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.315" Dia x 0.874" L (8.00mm x 22.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER5810RJT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ER5810RJT-FT |
ER74R01KT
TE Connectivity Passive Product
ER74R10KT
TE Connectivity Passive Product
ER74R22KT
TE Connectivity Passive Product
ER74R018JT
TE Connectivity Passive Product
ER74R02JT
TE Connectivity Passive Product
ER74R033JT
TE Connectivity Passive Product
ER74R03JT
TE Connectivity Passive Product
ER74R03KT
TE Connectivity Passive Product
ER74R045JT
TE Connectivity Passive Product
ER74R047JT
TE Connectivity Passive Product
EP1K50TC144-1
Intel
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
AGL125V2-FG144T
Microsemi Corporation
10AX032E2F27I1SG
Intel