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codice articolo del costruttore | ER1840-27JP |
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Numero di parte futuro | FT-ER1840-27JP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ER1840 |
ER1840-27JP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 7.5µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 520mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 440 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.9MHz |
Frequenza - Autorisonante | 48MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.9MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.187" Dia x 0.437" L (4.75mm x 11.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1840-27JP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ER1840-27JP-FT |
ER1840-110JM
API Delevan Inc.
ER1840-110JP
API Delevan Inc.
ER1840-110JR
API Delevan Inc.
ER1840-111JM
API Delevan Inc.
ER1840-111JP
API Delevan Inc.
ER1840-111JR
API Delevan Inc.
ER1840-112JM
API Delevan Inc.
ER1840-112JP
API Delevan Inc.
ER1840-112JR
API Delevan Inc.
ER1840-113JM
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel